FDH3632、FQH140N10、IXTH75N10对比区别

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型号 FDH3632 FQH140N10 IXTH75N10

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR  IXTH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 80.0 A 140 A 75.0 A

漏源极电阻 0.0075 Ω 10.0 mΩ 0.02 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 375W (Tc) 300 W

阈值电压 4 V - 4 V

输入电容 6.00 nF - 4.50 nF

栅电荷 84.0 nC - 260 nC

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 140 A 75.0 A

上升时间 39.0 ns - -

输入电容(Ciss) 6000pF @25V(Vds) 7900pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 375 W 300 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 310W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - - 3

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99