
额定电压DC 100 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 310 W
阈值电压 4 V
输入电容 6.00 nF
栅电荷 84.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 39.0 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
额定功率Max 310 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDH3632 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDH3632 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-247 N-Channel 100V 80A 6nF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
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型号: IXTH75N10 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 100V 75A 4.5nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXTH75N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V | FDH3632和IXTH75N10的区别 |