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FDH3632
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and micro solar inverter application.

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Low miller charge
.
Low Qrr body diode
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UIS Capability single pulse and repetitive pulse
FDH3632中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 310 W

阈值电压 4 V

输入电容 6.00 nF

栅电荷 84.0 nC

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 39.0 ns

输入电容Ciss 6000pF @25VVds

额定功率Max 310 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FDH3632引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FDH3632 Fairchild 飞兆/仙童 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET 搜索库存
替代型号FDH3632
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FDH3632

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-247 N-Channel 100V 80A 6nF

当前型号

N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET

当前型号

型号: FQH140N10

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-247 N-Channel 100V 140A 10mohms

类似代替

100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET

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型号: IRFP4310ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 134A

功能相似

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型号: IXTH75N10

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 100V 75A 4.5nF

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V

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