FQH140N10
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQH140N10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 140 A
漏源极电阻 10.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 375W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 140 A
输入电容Ciss 7900pF @25VVds
额定功率Max 375 W
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQH140N10引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQH140N10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQH140N10 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-247 N-Channel 100V 140A 10mohms | 当前型号 | 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FDH3632 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-247 N-Channel 100V 80A 6nF | 类似代替 | N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFET | FQH140N10和FDH3632的区别 |