AUIRF2804L、IRF1324LPBF、IRF2804LPBF对比区别
型号 AUIRF2804L IRF1324LPBF IRF2804LPBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。TO-262 N-CH 24V 340AN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262
额定功率 300 W - 330 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0018 Ω 1.65 mΩ 0.0018 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 330 W
阈值电压 2 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 40 V 24 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 270A 340A 280A
上升时间 - - 120 ns
输入电容(Ciss) 6450pF @25V(Vds) 7590pF @24V(Vds) 6450pF @25V(Vds)
下降时间 - - 130 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 330 W
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 24 V -
额定功率(Max) - 300 W -
高度 11.3 mm 9.45 mm 10.54 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262
长度 10.67 mm 10.2 mm -
宽度 4.83 mm 4.5 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -