BS170、BSS192PE6327、2N7002LT1G对比区别

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型号 BS170 BSS192PE6327 2N7002LT1G

描述 t- Mosfet n Chan EnhanMOSFET P-CH 250V 190mA SOT-89ON SEMICONDUCTOR  2N7002LT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 7.5 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 分立器件MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - SOT-89 SOT-23-3

额定电压(DC) - -250 V 60.0 V

额定电流 - -190 mA 115 mA

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 7.5 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 1W (Ta) 200 mW

阈值电压 - - 2.5 V

漏源极电压(Vds) - 250 V 60 V

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 190 mA 115 mA

正向电压(Max) - - 1.5 V

输入电容(Ciss) - 104pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 225 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1W (Ta) 225mW (Ta)

上升时间 - 5.20 ns -

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

封装 - SOT-89 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99