BSS192PE6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSS192PE6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -250 V
额定电流 -190 mA
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 190 mA
上升时间 5.20 ns
输入电容Ciss 104pF @25VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSS192PE6327引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSS192PE6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS192PE6327 | Infineon 英飞凌 | MOSFET P-CH 250V 190mA SOT-89 | 搜索库存 |
替代型号BSS192PE6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS192PE6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-89 250V 190mA | 当前型号 | MOSFET P-CH 250V 190mA SOT-89 | 当前型号 |
| 型号： 2N7002E 品牌： 光宝 封装： | 功能相似 | Small Signal Field-Effect Transistor, | BSS192PE6327和2N7002E的区别 |
| 型号： BS170 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | t- Mosfet n Chan Enhan | BSS192PE6327和BS170的区别 |