锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MMBT2907AWT1、MMBT2907AWT1G、FJX2907ATF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2907AWT1 MMBT2907AWT1G FJX2907ATF

描述 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP SiliconON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFEPNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323

频率 - 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -600 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 150 mW 0.325 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 150 mW 325 mW

耗散功率(Max) 150 mW 150 mW 325 mW

额定功率 - 0.15 W -

针脚数 - 3 -

增益频宽积 - 200 MHz -

直流电流增益(hFE) - 200 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

长度 - 2.2 mm 2 mm

宽度 - 1.24 mm 1.25 mm

高度 - 0.7 mm 0.9 mm

封装 SC-70-3 SC-70-3 SOT-323

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -