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PSMN8R0-40PS、PHP101NQ04T,127、CSD18504KCS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PSMN8R0-40PS PHP101NQ04T,127 CSD18504KCS

描述 NXP  PSMN8R0-40PS  晶体管, MOSFET, N沟道, 77 A, 40 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 40V 75A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail40V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 6.2 mΩ - 0.0055 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 86 W 157 W 93 W

阈值电压 3 V - 1.9 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 77A - 100A

输入电容(Ciss) 1262pF @12V(Vds) 2020pF @25V(Vds) 1800pF @20V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 86 W 157W (Tc) 115W (Tc)

上升时间 - 51 ns 5.2 ns

额定功率(Max) - 157 W 93 W

下降时间 - 33 ns 4.2 ns

长度 10.3 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 16 mm - -

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Obsolete 正在供货

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15