锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRFZ44N、STP55NE06、IRFZ46NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ44N STP55NE06 IRFZ46NPBF

描述 Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeN - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFETINFINEON  IRFZ46NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 49.0 A - -

漏源极电阻 17.5 mΩ 19.0 mΩ 0.0165 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 94.0 W 130 W 107 W

产品系列 IRFZ44N - -

输入电容 1.47 nF - 1696pF @25V

栅电荷 63.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 55 V - 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 60.0 V 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 49.0 A 55.0 A 53A

上升时间 60 ns - 76 ns

输入电容(Ciss) 1470pF @25V(Vds) - 1696pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 4 W - 107 W

下降时间 45 ns - 57 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 94000 mW - 107W (Tc)

额定功率 - - 88 W

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10.54 mm

宽度 - - 4.69 mm

高度 - - 8.77 mm

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free