STP55NE06
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ST Microelectronics
意法半导体
分立器件
STP55NE06中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 19.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 55.0 A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
STP55NE06引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP55NE06 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP55NE06
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP55NE06 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 55A 19mΩ | 当前型号 | N - 沟道增强型单一特征尺寸功率MOSFET N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET | 当前型号 |
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| 型号： HUF75329P3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 55V 49A 26mohms | 功能相似 | 49A ， 55V ， 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | STP55NE06和HUF75329P3的区别 |
| 型号： IRFZ44N 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 55V 49A 17.5mΩ 1.47nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH Si 55V 49A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | STP55NE06和IRFZ44N的区别 |