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IRFZ46NPBF

IRFZ46NPBF

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Infineon 英飞凌 分立器件

INFINEON  IRFZ46NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFZ46NPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 88 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 N-CH

耗散功率 107 W

阈值电压 4 V

输入电容 1696pF @25V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 53A

上升时间 76 ns

输入电容Ciss 1696pF @25VVds

额定功率Max 107 W

下降时间 57 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 8.77 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRFZ46NPBF引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRFZ46NPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFZ46NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFZ46NPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFZ46NPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 53A

当前型号

INFINEON  IRFZ46NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0165 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFZ44NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 55V 49A

类似代替

INFINEON  IRFZ44NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 41 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 4 V

IRFZ46NPBF和IRFZ44NPBF的区别

型号: AUIRFZ44N

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-CH 55V 31A

类似代替

INFINEON  AUIRFZ44N  晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, 10 V, 2 V

IRFZ46NPBF和AUIRFZ44N的区别

型号: IRFZ46N

品牌: 英飞凌

封装: TO-220AB N-Channel 55V 53A 16.5mΩ

功能相似

TO-220AB N-CH 55V 53A

IRFZ46NPBF和IRFZ46N的区别