STS5P3LLH6、STS5PF30L对比区别

高亮显示差异参数

型号 STS5P3LLH6 STS5PF30L

描述 SO P-CH 30V 5AP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -30.0 V

额定电流 - -5.00 A

漏源极电阻 48 mΩ 0.045 Ω

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 2.7 W 2.5 W

阈值电压 2.5 V 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5.00 A

上升时间 5 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 639pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W

下降时间 3.4 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.7W (Ta) 2500 mW

通道数 1 -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17