STS5P3LLH6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 48 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 2.7 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 639pF @25VVds
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
STS5P3LLH6引脚图与封装图
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在线购买STS5P3LLH6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STS5P3LLH6 | ST Microelectronics 意法半导体 | SO P-CH 30V 5A | 搜索库存 |
替代型号STS5P3LLH6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STS5P3LLH6 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： SO-8 P-CH 30V 5A | 当前型号 | SO P-CH 30V 5A | 当前型号 |
| 型号： STS5PF30L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC P-Channel 30V 5A 80mΩ | 类似代替 | P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | STS5P3LLH6和STS5PF30L的区别 |