锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

STS5PF30L

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO


欧时:
### P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STS5PF30L power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with stripfet technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R


富昌:
STS5PF30L系列 P沟道 30 V 55 mOhm STripFET™ 功率MOSFET - SOIC-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SO N T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STS5PF30L  MOSFET Transistor, P Channel, 5 A, -30 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.6 V


DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC


STS5PF30L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -5.00 A

漏源极电阻 0.045 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 5.00 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STS5PF30L引脚图与封装图
STS5PF30L引脚图

STS5PF30L引脚图

STS5PF30L封装图

STS5PF30L封装图

STS5PF30L封装焊盘图

STS5PF30L封装焊盘图

在线购买STS5PF30L
型号 制造商 描述 购买
STS5PF30L ST Microelectronics 意法半导体 P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STS5PF30L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STS5PF30L

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: SOIC P-Channel 30V 5A 80mΩ

当前型号

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

当前型号

型号: FDS9435A

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC P-Channel -30V -5.3A 50mohms 528pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9435A  晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V

STS5PF30L和FDS9435A的区别

型号: FDS9400A

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOIC P-Channel 30V 3.4A 130mohms 205pF

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9400A  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.4 A, -30 V, 0.105 ohm, -10 V, -1.8 V

STS5PF30L和FDS9400A的区别

型号: IRF7205TRPBF

品牌: 国际整流器

封装: SOIC P-Channel -30V -4.6A

功能相似

IRF7205TRPBF 编带

STS5PF30L和IRF7205TRPBF的区别