LBSS84LT1G、LBSS84LT3G、BSS84T/R7对比区别

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型号 LBSS84LT1G LBSS84LT3G BSS84T/R7

描述 MOS(场效应管)/LBSS84LT1GSOT-23P-CH 50V 0.13ASmall Signal Field-Effect Transistor, 0.13A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Leshan Radio (乐山无线电) Leshan Radio (乐山无线电) PANJIT Touch Screens

分类 MOS管

封装 SOT-23-3 SOT-23 -

安装方式 - Surface Mount -

漏源极电阻 10 Ω - -

极性 P P-CH -

阈值电压 0.8 V - -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V -

连续漏极电流(Ids) 0.13A 0.13A -

上升时间 1 ns - -

下降时间 8 ns - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Active

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -