FDS6975
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS6975中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -6.00 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.54 nF
栅电荷 14.5 nC
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -6.00 A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 1540pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS6975引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS6975
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS6975 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6975 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 V | 搜索库存 |
替代型号FDS6975
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS6975 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC P-Channel -30V -6A 32mohms 1.54nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6975 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 6 A, -30 V, 0.025 ohm, -10 V, -1.7 V | 当前型号 |
| 型号： FDS9926A 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC Dual N-Channel 20V 6.5A 30mohms 650pF | 类似代替 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9926A 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V | FDS6975和FDS9926A的区别 |
| 型号： IRF7313TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 30V 6.5A | 功能相似 | INFINEON IRF7313TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V | FDS6975和IRF7313TRPBF的区别 |