SI9435BDY、SI9435BDY-T1-GE3、SI9435BDY-T1-E3对比区别

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型号 SI9435BDY SI9435BDY-T1-GE3 SI9435BDY-T1-E3

描述 VISHAY  SI9435BDY  晶体管, MOSFET, P沟道, 4.1 A, -30 V, 42 mohm, -10 V, -3 VVISHAY  SI9435BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道, -4.1A, -30V, 1.3WVISHAY  SI9435BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 42 mΩ 0.033 Ω 0.07 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.3 W 1.3 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) - -30.0 V -30.0 V

连续漏极电流(Ids) - -4.10 A -5.70 A

上升时间 - - 14 ns

下降时间 - - 30 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 - - 5 mm

高度 - - 1.55 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99