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MC33153DG、MC33153DR2、MC33153DR2G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33153DG MC33153DR2 MC33153DR2G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33153DG  芯片, IGBT驱动器单IGBT栅极驱动器 Single IGBT Gate DriverON SEMICONDUCTOR  MC33153DR2G  IGBT GATE DRIVER, LOW SIDE, SOIC-8 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 0.00V(min), 15.0V(max) 15.0 V, 20.0 V (max) 0.00V(min), 15.0V(max)

上升/下降时间 17 ns 17 ns 17 ns

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

输出接口数 1 1 1

针脚数 8 - 8

耗散功率 560 mW - 560 mW

工作温度(Max) 105 ℃ - 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 11V ~ 20V 11V ~ 20V 11.7V ~ 20V

电源电压(Max) 15 V - 15 V

电源电压(Min) 0 V - 0 V

输出电压 13.9 V - -

输出电流 1 A - -

上升时间 17 ns - -

下降时间 17 ns - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99