MC33153DR2中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 15.0 V, 20.0 V max
上升/下降时间 17 ns
输出接口数 1
电源电压 11V ~ 20V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MC33153DR2引脚图与封装图 
MC33153DR2引脚图
MC33153DR2封装图
MC33153DR2封装焊盘图
在线购买MC33153DR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC33153DR2 | ON Semiconductor 安森美 | 单IGBT栅极驱动器 Single IGBT Gate Driver | 搜索库存 |
替代型号MC33153DR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC33153DR2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： Surface 15V 8Pin | 当前型号 | 单IGBT栅极驱动器 Single IGBT Gate Driver | 当前型号 |
| 型号： MC33153D 品牌： 安森美 封装： Surface 15V 8Pin | 完全替代 | IGBT驱动器 | MC33153DR2和MC33153D的区别 |
| 型号： MC33153DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 0V 8Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MC33153DG 芯片, IGBT驱动器 | MC33153DR2和MC33153DG的区别 |
| 型号： MC33153DR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC 0V 8Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MC33153DR2G IGBT GATE DRIVER, LOW SIDE, SOIC-8 新 | MC33153DR2和MC33153DR2G的区别 |