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PBHV8215Z、PBHV8215Z,115、FZT653对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBHV8215Z PBHV8215Z,115 FZT653

描述 NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP  PBHV8215Z,115  单晶体管 双极, NPN, 150 V, 33 MHz, 730 mW, 2 A, 240 hFEDIODES INC.  FZT653  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 175 MHz, 2 W, 2 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

针脚数 4 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 730 mW 730 mW 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 150 V 100 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 100 100 @1A, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 240 -

额定功率(Max) - 1.45 W -

直流电流增益(hFE) 240 240 200

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.45 W 1450 mW -

封装 SOT-223 TO-261-4 SOT-223

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.8 mm - -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17