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PBHV8215Z
NXP 恩智浦 分立器件

NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

The is a 2A NPN breakthrough-in small signal BISS Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.

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High voltage
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Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
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High collector current capability IC and ICM
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High collector current gain hFE at high IC
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AEC-Q101 qualified
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PNP complement is PBHV9215Z
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V8215Z Marking code
PBHV8215Z中文资料参数规格
技术参数

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 730 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100

直流电流增益hFE 240

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.45 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.8 mm

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

PBHV8215Z引脚图与封装图
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在线购买PBHV8215Z
型号 制造商 描述 购买
PBHV8215Z NXP 恩智浦 NPN 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号PBHV8215Z
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PBHV8215Z

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-223 NPN

当前型号

NPN 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: PBSS4041PZ

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 PNP

类似代替

NXP  PBSS4041PZ  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 110 MHz, 770 mW, -5.7 A, 300 hFE

PBHV8215Z和PBSS4041PZ的区别

型号: PBSS4021PZ

品牌: 恩智浦

封装: SOT-223 PNP

类似代替

NXP  PBSS4021PZ  单晶体管 双极, PNP, -20 V, 85 MHz, 770 mW, -6.6 A, 400 hFE

PBHV8215Z和PBSS4021PZ的区别

型号: PBHV9215Z

品牌: 安世

封装: SOT-223

类似代替

低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia

PBHV8215Z和PBHV9215Z的区别