FZT653
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
FZT653中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Automotive, 车用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
FZT653引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FZT653
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FZT653 | Vishay Semiconductor 威世 | DIODES INC. FZT653 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 175 MHz, 2 W, 2 A, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号FZT653
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FZT653 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOT-223 NPN 2W | 当前型号 | DIODES INC. FZT653 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 175 MHz, 2 W, 2 A, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBHV8215Z 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN | 功能相似 | NPN 晶体管，NXP一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | FZT653和PBHV8215Z的区别 |