FJV3103RMTF、MMUN2212LT1G、DTC124EET1G对比区别

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型号 FJV3103RMTF MMUN2212LT1G DTC124EET1G

描述 Fairchild Semiconductor### 数字晶体管，Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ON SEMICONDUCTOR  MMUN2212LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, 1 电阻比率, SOT-23NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-75-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 0.4 W 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 56 @5mA, 5V 60 @5mA, 10V 60 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 56 60 60

额定功率(Max) 200 mW 246 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 400 mW 300 mW

增益带宽 200 MHz - -

长度 2.92 mm 2.9 mm 1.65 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 0.9 mm

高度 0.93 mm 0.94 mm 0.8 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-75-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -