APTM50H15FT1G、APTM60H23FT1G、APTM50A15FT1G对比区别

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型号 APTM50H15FT1G APTM60H23FT1G APTM50A15FT1G

描述 全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Chassis Chassis

引脚数 - 12 12

封装 SP-1 SP-1 SP-1

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 600 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 25A 20A 25A

上升时间 35 ns 43 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 5448pF @25V(Vds) 5316pF @25V(Vds) 5448pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 208 W 208 W 208 W

下降时间 26 ns 34 ns 26 ns

工作温度(Max) 100 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 208000 mW 208000 mW

耗散功率 208 W 208 W -

漏源极电阻 130 mΩ - -

阈值电压 3 V - -

封装 SP-1 SP-1 SP-1

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free