APTM60H23FT1G
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APTM60H23FT1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 208 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 43 ns
输入电容Ciss 5316pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 34 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 208000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 12
封装 SP-1
外形尺寸
封装 SP-1
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APTM60H23FT1G引脚图与封装图
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在线购买APTM60H23FT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APTM60H23FT1G | Microsemi 美高森美 | 全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module | 搜索库存 |
替代型号APTM60H23FT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APTM60H23FT1G 品牌： Microsemi 美高森美 封装： SP1 N-CH 600V 20A | 当前型号 | 全 - 桥式MOSFET功率模块 Full - Bridge MOSFET Power Module | 当前型号 |
| 型号： APTM60A23FT1G 品牌： 美高森美 封装： SP1 N-CH 600V 20A | 完全替代 | 相桥臂MOSFET功率模块 Phase leg MOSFET Power Module | APTM60H23FT1G和APTM60A23FT1G的区别 |
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