BU406、BU406G、NTE379对比区别

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型号 BU406 BU406G NTE379

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BU406 .  双极性晶体管, NPN, 200V, TO-220ON SEMICONDUCTOR  BU406G  单晶体管 双极, NPN, 200 V, 10 MHz, 60 W, 7 A, 10 hFE 新NTE ELECTRONICS  NTE379  双极性晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

频率 10 MHz 10 MHz 4 MHz

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 60 W 60 W 100 W

击穿电压(集电极-发射极) 200 V 200 V 400 V

集电极最大允许电流 - 7A 12A

直流电流增益(hFE) - 10 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 2000 mW

额定电压(DC) 150 V 200 V -

额定电流 7.00 A 7.00 A -

最小电流放大倍数(hFE) 10 - -

额定功率(Max) 60 W 60 W -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

长度 10.1 mm - -

宽度 4.7 mm 4.82 mm -

高度 15.38 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951