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PDTD123ET,215、PDTD123TT,215、UNR222100L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTD123ET,215 PDTD123TT,215 UNR222100L

描述 NXP  PDTD123ET,215  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-23PDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管;R1 = 2.2 kOhm,R2 = 开路Mini3-G1 NPN 50V 500mA

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.25 W 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 40 @50mA, 5V 100 @50mA, 5V 40 @100mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - - 500 mA

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -