PDTD123ET,215
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NXP
恩智浦
分立器件
PDTD123ET,215中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTD123ET,215引脚图与封装图
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在线购买PDTD123ET,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTD123ET,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTD123ET,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号PDTD123ET,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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| 型号： PDTD123YT,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 250mW | 类似代替 | NXP PDTD123YT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, 0.22 电阻比率, SOT-23 | PDTD123ET,215和PDTD123YT,215的区别 |
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