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UNR222100L

UNR222100L

数据手册.pdf
Panasonic(松下) 分立器件

Mini3-G1 NPN 50V 500mA

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 迷你型3-G1


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3 / Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount Mini3-G1


UNR222100L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 10V

额定功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

UNR222100L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
UNR222100L Panasonic 松下 Mini3-G1 NPN 50V 500mA 搜索库存
替代型号UNR222100L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: UNR222100L

品牌: Panasonic 松下

封装: TO-236 NPN 50V 500mA

当前型号

Mini3-G1 NPN 50V 500mA

当前型号

型号: BCR503E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 50V 500mA 330mW

功能相似

Infineon BCR503E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

UNR222100L和BCR503E6327HTSA1的区别

型号: PDTD123ET,215

品牌: 安世

封装:

功能相似

Nexperia PDTD123ET,215 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装

UNR222100L和PDTD123ET,215的区别