IRFR120Z、IRFR120ZTRPBF、IRFR120ZPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFR120Z IRFR120ZTRPBF IRFR120ZPBF

描述 DPAK N-CH 100V 8.7A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON  IRFR120ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 35 W 35 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.15 Ω 0.19 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 35W (Tc) 35 W 35 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 8.70 A 8.7A 8.7A

上升时间 26.0 ns 26 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 35 W -

下降时间 - 23 ns 23 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 35W (Tc) 35W (Tc) 35W (Tc)

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 8.70 A - -

产品系列 IRFR120Z - -

漏源击穿电压 100 V - -

长度 - 6.5 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.3 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -