额定电压DC 100 V
额定电流 8.70 A
极性 N-Channel
耗散功率 35W Tc
产品系列 IRFR120Z
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 8.70 A
上升时间 26.0 ns
输入电容Ciss 310pF @25VVds
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Lighting LED
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFR120Z 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 100V 8.7A | 当前型号 | DPAK N-CH 100V 8.7A | 当前型号 | |
型号: IRFR120ZPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 100V 8.7A | 类似代替 | INFINEON IRFR120ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 190 mohm, 10 V, 4 V | IRFR120Z和IRFR120ZPBF的区别 | |
型号: IRFR120ZTRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 100V 8.7A | 类似代替 | 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRFR120Z和IRFR120ZTRPBF的区别 | |
型号: AUIRFR120Z 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-CH 100V 8.7A | 类似代替 | INFINEON AUIRFR120Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 100 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V | IRFR120Z和AUIRFR120Z的区别 |