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IRFR120ZTRPBF

IRFR120ZTRPBF

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 100 V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak


得捷:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK


欧时:
Infineon MOSFET IRFR120ZTRPBF


立创商城:
IRFR120ZTRPBF


贸泽:
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 26mOhms 70nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 100V 8,7A 190mOhm DPAK **


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK


IRFR120ZTRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 35 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting LED

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFR120ZTRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFR120ZTRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFR120ZTRPBF Infineon 英飞凌 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号IRFR120ZTRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR120ZTRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 8.7A

当前型号

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: IRFR120ZPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 100V 8.7A

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品牌: 英飞凌

封装: REEL N-CH 100V 8.7A

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型号: AUIRFR120ZTRL

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