PHD38N02LT、PHD38N02LT,118、PHB38N02LT,118对比区别

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型号 PHD38N02LT PHD38N02LT,118 PHB38N02LT,118

描述 N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FETDPAK N-CH 20V 44.7AD2PAK N-CH 20V 44.7A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 16 mΩ

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 57.6 W 57.6 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - - 20 V

连续漏极电流(Ids) 44.7A 44.7A 44.7A

上升时间 - - 12.5 ns

输入电容(Ciss) 800pF @20V(Vds) 800pF @20V(Vds) 800pF @20V(Vds)

下降时间 - - 23 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - 57.6W (Tc) 57.6W (Tc)

额定功率(Max) 57.6 W 57.6 W -

长度 - - 10.3 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - - 4.5 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free 无铅