PHD38N02LT
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NXP
恩智浦
分立器件
PHD38N02LT中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 44.7A
输入电容Ciss 800pF @20VVds
额定功率Max 57.6 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
PHD38N02LT引脚图与封装图
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在线购买PHD38N02LT
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHD38N02LT | NXP 恩智浦 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | 搜索库存 |
替代型号PHD38N02LT
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHD38N02LT 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-252-3 N-CH 20V 44.7A | 当前型号 | N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET | 当前型号 |
| 型号： PHD38N02LT,118 品牌： 恩智浦 封装： DPAK N-CH 20V 44.7A | 完全替代 | DPAK N-CH 20V 44.7A | PHD38N02LT和PHD38N02LT,118的区别 |
| 型号： PHB38N02LT,118 品牌： 恩智浦 封装： TO-263-3 N-CH 20V 44.7A | 类似代替 | D2PAK N-CH 20V 44.7A | PHD38N02LT和PHB38N02LT,118的区别 |