CY7C1512V18-200BZC、CY7C1512V18-200BZI、CY7C1512V18-200BZXC对比区别

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型号 CY7C1512V18-200BZC CY7C1512V18-200BZI CY7C1512V18-200BZXC

描述 72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst ArchitectureCY7C1512V18 72 Mb (4 Mx18) 200 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM - FBGA-165

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

电源电压(DC) 1.80 V - 1.80 V, 1.90 V (max)

位数 18 18 18

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - - 200MHz (max)

存取时间 - - 200 µs

内存容量 - - 72000000 B

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free