CY7C1512V18-200BZI

Cypress Semiconductor(赛普拉斯) 电子元器件分类

72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 72Mb（4M x 18）并联 200 MHz 165-FBGA（15x17）

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CY7C1512V18-200BZI

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静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND

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CY7C1512V18-200BZI中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1512V18-200BZI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
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替代型号CY7C1512V18-200BZI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CY7C1512V18-200BZI 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯封装： FBGA	当前型号	72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture	当前型号
型号： CY7C1512V18-200BZXC 品牌：赛普拉斯封装： FBGA 72000000B 1.8V 200us	类似代替	CY7C1512V18 72 Mb 4 Mx18 200 MHz 1.8 V QDR™-II 2字突发 SRAM - FBGA-165	CY7C1512V18-200BZI和CY7C1512V18-200BZXC的区别
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