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70T3319S133BFI8、70V3319S133BCI、IDT70V3319S133BC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T3319S133BFI8 70V3319S133BCI IDT70V3319S133BC

描述 256K x 18 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sIC SRAM 4.5Mbit 133MHz 256CABGAHIGH -SPEED 3.3V 256 / 128K ×18同步双端口静态RAM 3.3V或2.5V接口 HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 208 256 -

封装 CABGA-208 LBGA-256 BGA-256

安装方式 - - Surface Mount

电源电压 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V -

长度 15 mm 17.0 mm -

宽度 15 mm 17.0 mm -

高度 1.4 mm - -

封装 CABGA-208 LBGA-256 BGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube, Rail Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - 3A991