IXTH6N120、IXTT6N120、STW6N120K3对比区别

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型号 IXTH6N120 IXTT6N120 STW6N120K3

描述 N沟道 1.2kV 6ATO-268 N-CH 1200V 6ASTMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 2.6 Ω 1.95 Ω

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 300 W 150 W

阈值电压 - 5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 1200 V 1200 V 1200 V

连续漏极电流(Ids) - 6A 6A

输入电容(Ciss) 1950pF @25V(Vds) 1950pF @25V(Vds) 1050pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 150 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 150W (Tc)

通道数 1 1 -

漏源击穿电压 - 1200 V -

上升时间 33 ns 33 ns -

下降时间 18 ns 18 ns -

长度 - 14 mm 15.75 mm

宽度 5.3 mm 16.05 mm 5.15 mm

高度 - 5.1 mm 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99