KSH45H11ITU、MJD45H11-1G、KSH50-I对比区别

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型号 KSH45H11ITU MJD45H11-1G KSH50-I

描述 Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

频率 40 MHz 90 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -

额定电流 -8.00 A -8.00 A -

极性 PNP PNP -

耗散功率 1.75 W 20 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

集电极最大允许电流 8A 8A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 60 -

长度 6.6 mm 6.73 mm -

宽度 2.3 mm 2.38 mm -

高度 6.1 mm 6.22 mm -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -