KSH45H11ITU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH45H11ITU中文资料参数规格
技术参数
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
外形尺寸
长度 6.6 mm
宽度 2.3 mm
高度 6.1 mm
封装 TO-251-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSH45H11ITU引脚图与封装图
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在线购买KSH45H11ITU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSH45H11ITU | Fairchild 飞兆/仙童 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 搜索库存 |
替代型号KSH45H11ITU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH45H11ITU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： IPAK PNP -80V -8A 1750mW | 当前型号 | Power PNP 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | 当前型号 |
| 型号： MJD45H11-1G 品牌： 安森美 封装： IPAK-4 PNP -80V -8A 1750mW | 功能相似 | PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管 | KSH45H11ITU和MJD45H11-1G的区别 |
| 型号： MJD45H11-001 品牌： 安森美 封装： IPAK PNP -80V -8A | 功能相似 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | KSH45H11ITU和MJD45H11-001的区别 |
| 型号： MJD45H11-001G 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 互补功率晶体管 Complementary Power Transistors | KSH45H11ITU和MJD45H11-001G的区别 |