IRFP260NPBF、IRFP260PBF、PSMN040-200W,127对比区别

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型号 IRFP260NPBF IRFP260PBF PSMN040-200W,127

描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。VISHAY  IRFP260PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 46A, TO-247ACTO-247 N-CH 200V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 300 W 280 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 50A 46.0 A 50A

输入电容(Ciss) 4057pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 9530pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 280 W 300W (Tc)

额定功率 300 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.04 Ω 0.055 Ω -

阈值电压 4 V 2 V -

输入电容 4057 pF 5200pF @25V -

漏源击穿电压 200 V 200 V -

上升时间 60 ns 120 ns -

热阻 0.5℃/W (RθJC) - -

额定功率(Max) 300 W - -

下降时间 48 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 46.0 A -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.9 mm 15.87 mm -

宽度 5.3 mm 5.31 mm -

高度 20.3 mm 20.82 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active - Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -