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PSMN040-200W,127

PSMN040-200W,127

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

TO-247 N-CH 200V 50A

N-Channel 200V 50A Tc 300W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin3+Tab TO-247 Rail


PSMN040-200W,127中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 9530pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PSMN040-200W,127引脚图与封装图
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在线购买PSMN040-200W,127
型号 制造商 描述 购买
PSMN040-200W,127 NXP 恩智浦 TO-247 N-CH 200V 50A 搜索库存
替代型号PSMN040-200W,127
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PSMN040-200W,127

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-247 N-CH 200V 50A

当前型号

TO-247 N-CH 200V 50A

当前型号

型号: IRFP260NPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 200V 50A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

PSMN040-200W,127和IRFP260NPBF的区别

型号: IRFP260MPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 200V 50A

功能相似

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

PSMN040-200W,127和IRFP260MPBF的区别