
极性 N-CH
耗散功率 300W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 50A
输入电容Ciss 9530pF @25VVds
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN040-200W,127 | NXP 恩智浦 | TO-247 N-CH 200V 50A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN040-200W,127 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-247 N-CH 200V 50A | 当前型号 | TO-247 N-CH 200V 50A | 当前型号 | |
型号: IRFP260NPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 50A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | PSMN040-200W,127和IRFP260NPBF的区别 | |
型号: IRFP260MPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 50A | 功能相似 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | PSMN040-200W,127和IRFP260MPBF的区别 |