额定电压DC 200 V
额定电流 46.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.055 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 280 W
阈值电压 2 V
输入电容 5200pF @25V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 46.0 A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 5200pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 280 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Commercial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFP260PBF | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY IRFP260PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 46A, TO-247AC | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP260PBF 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-247-3 N-Channel 200V 46A | 当前型号 | VISHAY IRFP260PBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 46A, TO-247AC | 当前型号 |
| 型号： IRFP260NPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 200V 50A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFP260PBF和IRFP260NPBF的区别 |
