SUP85N10-10-E3、SUP90N10-8M8P-E3、IRFB4410ZPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 SUP85N10-10-E3 SUP90N10-8M8P-E3 IRFB4410ZPBF

描述 N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAKVISHAY  SUP90N10-8M8P-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 VINFINEON  IRFB4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.012 Ω 8.8 mΩ 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 300 W 230 W

阈值电压 3 V 2.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 85.0 A 90.0 A 97A

上升时间 90 ns 17.0 ns 52 ns

输入电容(Ciss) 6550pF @25V(Vds) - 4820pF @50V(Vds)

下降时间 130 ns - 57 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW - 230000 mW

针脚数 - 3 3

额定功率 - - 230 W

输入电容 - - 4820 pF

额定功率(Max) - - 230 W

高度 9.01 mm - 9.02 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

长度 - - 10.66 mm

宽度 - - 4.82 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99