漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 85.0 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 6550pF @25VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
高度 9.01 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUP85N10-10-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAK | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUP85N10-10-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220 N-Channel 100V 85A 10.5mohms | 当前型号 | N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAK | 当前型号 |
| 型号： IRFB4410ZPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 97A | 功能相似 | INFINEON IRFB4410ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V | SUP85N10-10-E3和IRFB4410ZPBF的区别 |
| 型号： SUP90N10-8M8P-E3 品牌： 威世 封装： TO-220AB N-Channel 90A | 功能相似 | VISHAY SUP90N10-8M8P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V | SUP85N10-10-E3和SUP90N10-8M8P-E3的区别 |
