SUP90N10-8M8P-E3
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
SUP90N10-8M8P-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 8.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 90.0 A
上升时间 17.0 ns
工作温度Max 175 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
SUP90N10-8M8P-E3引脚图与封装图
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在线购买SUP90N10-8M8P-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SUP90N10-8M8P-E3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SUP90N10-8M8P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号SUP90N10-8M8P-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SUP90N10-8M8P-E3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220AB N-Channel 90A | 当前型号 | VISHAY SUP90N10-8M8P-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 8.8 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： SUP85N10-10-E3 品牌： 威世 封装： TO-220 N-Channel 100V 85A 10.5mohms | 功能相似 | N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAK | SUP90N10-8M8P-E3和SUP85N10-10-E3的区别 |