FQD7P06TM、STD10P6F6、FQD7P06对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQD7P06TM STD10P6F6 FQD7P06

描述 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsPower Field-Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -5.40 A - -

漏源极电阻 450 mΩ 0.13 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 2.5 W 35 W -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.40 A - -

上升时间 50 ns 5.3 ns -

输入电容(Ciss) 295pF @25V(Vds) 340pF @48V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W 35 W -

下降时间 25 ns 3.7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 35W (Tc) -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 340 pF -

漏源击穿电压 - 60 V -

正向电压(Max) - 1.1 V -

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 7.45 mm -

高度 2.39 mm 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -