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DTC143EKAT146、DTC143EM3T5G、BCR112E6327HTSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC143EKAT146 DTC143EM3T5G BCR112E6327HTSA1

描述 ROHM  DTC143EKAT146  单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE数字晶体管( BRT ) NPN硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkInfineon BCR112E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-723-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定功率 0.2 W - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 0.6 W 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10mA, 5V 15 @5mA, 10V 20 @5mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 260 mW 200 mW

直流电流增益(hFE) 30 - 20

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

增益带宽 250 MHz - 140 MHz

耗散功率(Max) 200 mW 600 mW 200 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - - 3

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.6 mm - 1.3 mm

高度 1.1 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-723-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -