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UMX1NTN、UMZ1NT1G、BC847S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UMX1NTN UMZ1NT1G BC847S

描述 ROHM  UMX1NTN  双极晶体管阵列, 双路, NPN, 50 V, 150 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-363互补的双通用放大器晶体管 Complementary Dual General Purpose Amplifier TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 3 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

频率 180 MHz 114 MHz 200 MHz

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 45.0 V

额定电流 150 mA 200 mA 200 mA

针脚数 6 3 6

极性 NPN NPN, PNP NPN

耗散功率 150 mW 250 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 45 V

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 200 @2mA, 6V 110 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 250 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 120 200 110

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 385 mW 300 mW

集电极击穿电压 60.0 V 50.0 V -

集电极最大允许电流 0.15A 0.2A -

额定功率 0.15 W - -

增益频宽积 180 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 560 - -

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm - 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99