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BC847S
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 200MA/0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 110~630 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications |   NPN型Multi-chip通用放大器   该设备是专为通用放大器应用在收集器 技术文档PDF下载 | 在线阅读


欧时:
### 双路和四路多片晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, 200mA, SC-70


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Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


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Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


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BC847S NPN 300 mW 45 V 200 mA 多芯片 通用 放大器 - SC-70-6


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Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


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# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  Bipolar Transistor Array, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70


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TRANSISTOR NPN 45V 200MA SC70-6


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TRANS 2NPN 45V 0.2A SC70-6


BC847S中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC847S引脚图与封装图
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在线购买BC847S
型号 制造商 描述 购买
BC847S Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70 搜索库存
替代型号BC847S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847S

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: 6-TSSOP NPN 45V 200mA 300mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70

当前型号

型号: BC847BS-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-363 NPN 200mW

功能相似

BC847BS 系列 双 NPN 45 V 200 mW 小信号晶体管 表面贴装 - SOT-363

BC847S和BC847BS-7-F的区别

型号: BC847BDW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 45V 100mA 380mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T1G.  双极性晶体管阵列, NPN, 双路, 45V, SOT363

BC847S和BC847BDW1T1G的区别

型号: BC847BDW1T3G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 45V 100mA 380mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847BDW1T3G  Bipolar BJT Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 200 hFE 新

BC847S和BC847BDW1T3G的区别